Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MD1-6BIN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.42 | Dhs. 7.42 |
| 15+ | Dhs. 7.17 | Dhs. 107.55 |
| 25+ | Dhs. 7.01 | Dhs. 175.25 |
| 50+ | Dhs. 6.62 | Dhs. 331.00 |
| 100+ | Dhs. 5.84 | Dhs. 584.00 |
| N+ | Dhs. 1.17 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR mobile |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x9) |
| RoHS |  |
AS4C16M16MD1-6BIN - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR mobile de 256 Mbits
La mémoire AS4C16M16MD1-6BIN d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM LPDDR (Mobile Low Power DDR) haute performance de 256 Mbits, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Ce circuit intégré DRAM volatil dispose d'une architecture mémoire 16M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz pour un accès rapide aux données.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 256 Mbits dans un boîtier compact à montage en surface 60-FBGA (8 × 9 mm).
- Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR mobile optimisée pour les applications sensibles à la consommation d'énergie (alimentation de 1,7 V à 1,95 V)
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications, aux appareils portables et à toute application nécessitant des composants de mémoire fiables, à longue durée de vie et répondant à des spécifications de qualité industrielle.
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Spécifications techniques complètes
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