Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6TAN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.44 | Dhs. 9.44 |
| 15+ | Dhs. 9.14 | Dhs. 137.10 |
| 25+ | Dhs. 8.94 | Dhs. 223.50 |
| 50+ | Dhs. 8.44 | Dhs. 422.00 |
| 100+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 745.00 |
| N+ | Dhs. 1.49 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
AS4C16M16S-6TAN - Circuit intégré de mémoire SDRAM 256 Mbit haute fiabilité
La mémoire AS4C16M16S-6TAN d'Alliance Memory est une DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une fiabilité et des performances exceptionnelles, même dans des environnements à températures extrêmes.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Interface standard de l'industrie : interface SDRAM parallèle pour une intégration transparente dans les conceptions existantes
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
- Boîtier CMS : le boîtier 54-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts.
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs d'imagerie médicale et de diagnostic
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
Spécifications techniques
Pourquoi choisir Alliance Memory ?
Alliance Memory est spécialisée dans les solutions semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications exigeantes. Ses produits SDRAM sont soumis à des tests rigoureux et à un contrôle qualité strict afin de garantir des performances constantes dans les environnements critiques où la moindre défaillance est inacceptable.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire, notamment la DRAM, la SRAM, la mémoire Flash et les circuits intégrés de mémoire spécialisés pour les applications industrielles et embarquées.
Visitez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs de qualité aérospatiale, automobile et industrielle.
Restez informé des dernières tendances du secteur, des lancements de produits et des articles techniques sur notre blog d'actualités et technique .
AS4C16M16S-6TAN.pdf