Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6TINTR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 9.22
Prix habituel Dhs. 9.70 Prix promotionnel Dhs. 9.22
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 9.22 Dhs. 9.22
15+ Dhs. 8.92 Dhs. 133.80
25+ Dhs. 8.73 Dhs. 218.25
50+ Dhs. 8.25 Dhs. 412.50
100+ Dhs. 7.28 Dhs. 728.00
N+ Dhs. 1.46 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Alliance Memory AS4C16M16S-6TINTR - SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire DRAM synchrone AS4C16M16S-6TINTR d'Alliance Memory offre des performances fiables et rapides pour les systèmes embarqués et les applications critiques. Cette mémoire SDRAM de 256 Mbits dispose d'une architecture 16M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz pour un accès et un traitement rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Plage de fonctionnement robuste : tolérance aux températures de qualité industrielle de -40 °C à 85 °C (TA)
  • Alimentation flexible : fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes
  • Boîtier compact à montage en surface : boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les applications à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications nécessitant une mémoire volatile fiable, à la fiabilité éprouvée et à la disponibilité sur une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire, notamment les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués.

Visitez HQICKEY pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications critiques.

Restez informé des dernières tendances et mises à jour techniques du secteur grâce à notre blog d'actualités et techniques .