Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TANTR

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

AS4C16M16SA-6TANTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM de qualité automobile

La puce AS4C16M16SA-6TANTR d'Alliance Memory est une DRAM synchrone haute performance de 256 Mbits conçue spécifiquement pour les applications automobiles. Ce circuit intégré de mémoire de qualité automobile est qualifié AEC-Q100 et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures allant de -40 °C à 105 °C, ce qui le rend idéal pour les applications automobiles, industrielles et critiques exigeantes.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 256 Mbit (16 Mo x 16)
  • Fréquence d'horloge de 166 MHz pour un accès rapide aux données
  • homologuée AEC-Q100 pour la fiabilité automobile
  • Plage de température étendue : -40 °C à 105 °C
  • Temps d'accès faible : 5 ns
  • tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V
  • Conforme à la directive RoHS
  • Boîtier CMS 54-TSOP II

Applications : Systèmes d'infodivertissement automobile, systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), systèmes de contrôle industriels, équipements de télécommunications et autres applications embarquées à haute fiabilité.

Spécifications techniques