Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-7TCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.31 | Dhs. 11.31 |
| 15+ | Dhs. 10.96 | Dhs. 164.40 |
| 25+ | Dhs. 10.72 | Dhs. 268.00 |
| 50+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 506.00 |
| 100+ | Dhs. 8.93 | Dhs. 893.00 |
| N+ | Dhs. 1.79 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 14ns |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |
Alliance Memory AS4C16M16SA-7TCNTR : Solution SDRAM haute performance de 256 Mbits
La mémoire DRAM synchrone AS4C16M16SA-7TCNTR d'Alliance Memory offre des performances fiables et rapides pour les applications embarquées exigeantes. Conçue avec une architecture mémoire 16M x 16 et fonctionnant à une fréquence d'horloge de 166 MHz, cette mémoire SDRAM de 256 Mbits assure un débit de données exceptionnel avec un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns. Adaptée aux applications industrielles nécessitant des solutions mémoire robustes, elle fonctionne sur une large plage de tensions (3 V à 3,6 V) et de températures (0 °C à 70 °C), garantissant ainsi des performances constantes même dans des environnements difficiles.
Conditionné en boîtier TSOP II 54 broches compact pour montage en surface, le circuit intégré AS4C16M16SA-7TCNTR s'intègre parfaitement aux conceptions à espace restreint tout en préservant une intégrité du signal optimale. Son architecture d'interface parallèle facilite son intégration aux architectures système existantes, ce qui en fait un choix idéal pour les équipements de télécommunications, les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles et les dispositifs médicaux où la fiabilité et les performances sont primordiales.
Spécifications techniques complètes
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 16 M x 16 assure une gestion efficace des données pour les architectures de bus 16 bits.
- Fiabilité de niveau industriel : large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) et tolérance de tension (3 V à 3,6 V) pour les environnements difficiles
- Conception compacte : le boîtier TSOP II à montage en surface à 54 broches réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes anciens et modernes
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour les processus d'assemblage automatisés, réduisant les coûts de production
Applications idéales
Ce module SDRAM excelle dans les infrastructures de télécommunications, les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements d'imagerie médicale, le matériel de réseau et les plateformes informatiques embarquées où un accès mémoire rapide et constant est essentiel.
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