Alliance Memory, Inc. AS4C1G16MD4VA-046BIN

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25+ Dhs. 485.53 Dhs. 12,138.25
50+ Dhs. 458.56 Dhs. 22,928.00
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AS4C1G16MD4VA-046BIN - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4X 16 Gb

La mémoire AS4C1G16MD4VA-046BIN d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM LPDDR4X haute performance de 16 gigabits conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Avec une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et une organisation mémoire de 1G x 16, ce composant offre des performances fiables pour les systèmes automobiles, industriels et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de 16 Gbit avec une organisation 1G x 16 pour une architecture mémoire flexible
  • Fréquence d'horloge de 2133 MHz permettant un débit de données rapide
  • Fonctionnement à faible consommation : tension du noyau de 1,06 V à 1,17 V, tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V.
  • Large plage de températures : -40 °C à +85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Boîtier CMS 200-FBGA (10 x 15 mm) pour circuits imprimés compacts
  • Temps d'accès de 3,5 ns et cycle d'écriture de 18 ns pour des performances réactives

Applications :

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs IoT périphériques et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un support à long terme et des composants authentiques et traçables.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants Alliance Memory 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 16 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 16
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,5 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-FBGA (10x15)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY