Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-6TCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.52 | Dhs. 6.52 |
| 15+ | Dhs. 6.31 | Dhs. 94.65 |
| 25+ | Dhs. 6.17 | Dhs. 154.25 |
| 50+ | Dhs. 5.83 | Dhs. 291.50 |
| 100+ | Dhs. 5.15 | Dhs. 515.00 |
| N+ | Dhs. 1.03 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 2ns |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |  |
AS4C1M16S-6TCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
Le circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) AS4C1M16S-6TCNTR d'Alliance Memory, Inc. est un composant de semi-conducteur authentique de 16 Mbits offrant une haute fiabilité. Conçu pour les applications industrielles, automobiles et de systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire stables et durables, il dispose d'une architecture mémoire 1M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz pour un accès et un traitement rapides des données.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Architecture mémoire fiable : capacité de 16 Mbit avec une organisation 1M x 16 offrant une configuration mémoire flexible
- Qualité industrielle : Plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA), adaptée aux environnements exigeants.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes courants.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 50-TSOP II optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques :
Applications :
La mémoire SDRAM AS4C1M16S-6TCNTR est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements réseau, les infrastructures de télécommunications et les objets connectés nécessitant une mémoire volatile fiable et un cycle de vie éprouvé. Son interface parallèle et son architecture SDRAM standard garantissent une large compatibilité avec les systèmes existants.
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