Alliance Memory, Inc. AS4C256M32MD4VA-046BIN

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AS4C256M32MD4VA-046BIN - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4X haute performance

La puce AS4C256M32MD4VA-046BIN d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM LPDDR4X mobile de 8 Gbits conçue pour les applications hautes performances des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire dispose d'une architecture 256M x 32 et d'une fréquence d'horloge de 2 133 MHz, offrant une vitesse et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 2 133 MHz avec un temps d’accès de 3,5 ns pour un traitement rapide des données
  • Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR4X est optimisée pour les applications mobiles et sensibles à la consommation d'énergie.
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels et automobiles.
  • Boîtier compact : boîtier CMS 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Fonctionnement à double tension : alimentation de 1,06 V à 1,17 V et de 1,7 V à 1,95 V pour une intégration système flexible.

Applications

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, l'avionique aérospatiale, les plateformes informatiques embarquées et les dispositifs IoT périphériques nécessitant une mémoire haute densité et haute vitesse avec un fonctionnement à température étendue.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons des composants Alliance Memory 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 8 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 32
Interface mémoire LVSTL
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,5 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-FBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY