Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.84 | Dhs. 11.84 |
| 15+ | Dhs. 11.47 | Dhs. 172.05 |
| 25+ | Dhs. 11.22 | Dhs. 280.50 |
| 50+ | Dhs. 10.60 | Dhs. 530.00 |
| 100+ | Dhs. 9.35 | Dhs. 935.00 |
| N+ | Dhs. 1.87 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
Alliance Memory AS4C32M16D1A-5TCNTR - Mémoire SDRAM DDR haute performance
La mémoire AS4C32M16D1A-5TCNTR d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 700 ps, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants et les applications de traitement de données à haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Architecture mémoire fiable : l'organisation 32M x 16 offre une capacité de 512 Mbit dans une configuration d'interface parallèle efficace.
- Qualité industrielle : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.
- Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSOP II compact (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V permet de concevoir des systèmes économes en énergie.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR SDRAM est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment :
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant des performances éprouvées
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées et systèmes d'acquisition de données
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