Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-5BCNTR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 11.43
Prix habituel Dhs. 12.02 Prix promotionnel Dhs. 11.43
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.43 Dhs. 11.43
15+ Dhs. 11.06 Dhs. 165.90
25+ Dhs. 10.82 Dhs. 270.50
50+ Dhs. 10.22 Dhs. 511.00
100+ Dhs. 9.02 Dhs. 902.00
N+ Dhs. 1.80 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR mobile
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-FBGA (8x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

AS4C32M16MD1-5BCNTR - Mémoire SDRAM LPDDR mobile haute performance de 512 Mbits

La mémoire AS4C32M16MD1-5BCNTR d'Alliance Memory offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les applications mobiles et embarquées exigeant des solutions de mémoire haute vitesse et basse consommation. Cette mémoire SDRAM de 512 Mbits intègre la technologie Mobile LPDDR avec une organisation de 32 Mbits x 16, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un accès et un traitement rapides des données.

Conçu pour les environnements industriels exigeants, ce module de mémoire fonctionne sur une large plage de températures, de -30 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales. Son boîtier compact 60-TFBGA (8x9) pour montage en surface optimise l'espace sur la carte, tandis que sa basse tension de fonctionnement (1,7 V à 1,9 V) garantit une efficacité énergétique optimale pour les appareils mobiles et alimentés par batterie.

Grâce à son interface parallèle, son temps de cycle d'écriture de 15 ns et son temps d'accès de 700 ps, ​​la mémoire AS4C32M16MD1-5BCNTR offre la vitesse et la réactivité nécessaires au traitement de données en temps réel, aux applications multimédias et aux opérations à large bande passante. L'engagement d'Alliance Memory envers la qualité garantit des performances constantes et une disponibilité à long terme pour les applications critiques.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire à semi-conducteurs, incluant DRAM, SRAM, Flash et dispositifs de mémoire spécialisés pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants haute fiabilité, ou découvrez nos dernières actualités et ressources techniques pour des analyses sectorielles et des mises à jour produits.