Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-5BCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.43 | Dhs. 11.43 |
| 15+ | Dhs. 11.06 | Dhs. 165.90 |
| 25+ | Dhs. 10.82 | Dhs. 270.50 |
| 50+ | Dhs. 10.22 | Dhs. 511.00 |
| 100+ | Dhs. 9.02 | Dhs. 902.00 |
| N+ | Dhs. 1.80 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR mobile |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TJ) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x9) |
| RoHS |
AS4C32M16MD1-5BCNTR - Mémoire SDRAM LPDDR mobile haute performance de 512 Mbits
La mémoire AS4C32M16MD1-5BCNTR d'Alliance Memory offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les applications mobiles et embarquées exigeant des solutions de mémoire haute vitesse et basse consommation. Cette mémoire SDRAM de 512 Mbits intègre la technologie Mobile LPDDR avec une organisation de 32 Mbits x 16, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un accès et un traitement rapides des données.
Conçu pour les environnements industriels exigeants, ce module de mémoire fonctionne sur une large plage de températures, de -30 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales. Son boîtier compact 60-TFBGA (8x9) pour montage en surface optimise l'espace sur la carte, tandis que sa basse tension de fonctionnement (1,7 V à 1,9 V) garantit une efficacité énergétique optimale pour les appareils mobiles et alimentés par batterie.
Grâce à son interface parallèle, son temps de cycle d'écriture de 15 ns et son temps d'accès de 700 ps, la mémoire AS4C32M16MD1-5BCNTR offre la vitesse et la réactivité nécessaires au traitement de données en temps réel, aux applications multimédias et aux opérations à large bande passante. L'engagement d'Alliance Memory envers la qualité garantit des performances constantes et une disponibilité à long terme pour les applications critiques.
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