Alliance Memory, Inc. AS4C32M8SA-7TCNTR

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15+ Dhs. 10.96 Dhs. 164.40
25+ Dhs. 10.72 Dhs. 268.00
50+ Dhs. 10.12 Dhs. 506.00
100+ Dhs. 8.93 Dhs. 893.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

AS4C32M8SA-7TCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SDRAM AS4C32M8SA-7TCNTR d'Alliance Memory est un composant haute fiabilité de 256 Mbits conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants et les applications de contrôle industriel.

Dotée d'une organisation mémoire de 32 Mbits x 8 et d'une interface parallèle, cette mémoire SDRAM à montage en surface fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures (0 °C à 70 °C) avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V. Le boîtier 54-TSOP II assure la compatibilité avec les schémas de circuits imprimés standard tout en garantissant des performances robustes dans des environnements d'exploitation difficiles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 143 MHz avec un temps d’accès de 5,5 ns pour un traitement rapide des données
  • Architecture mémoire fiable : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 32 M x 8 pour une intégration système flexible
  • Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants
  • Interface standard : interface mémoire parallèle avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V
  • Conception compacte : Boîtier CMS 54-TSOP II
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est conçue pour être utilisée dans :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Électronique automobile et systèmes ADAS
  • Automatisation et contrôle industriels
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées

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