Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BINTR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 6.22
Prix habituel Dhs. 6.56 Prix promotionnel Dhs. 6.22
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 6.22 Dhs. 6.22
15+ Dhs. 6.04 Dhs. 90.60
25+ Dhs. 5.90 Dhs. 147.50
50+ Dhs. 5.58 Dhs. 279.00
100+ Dhs. 4.92 Dhs. 492.00
N+ Dhs. 0.98 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TFBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

AS4C4M16S-6BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbits

Le circuit intégré AS4C4M16S-6BINTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce composant semi-conducteur authentique présente une organisation mémoire 4M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances fiables à une fréquence d'horloge de 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Alimentation flexible : plage de tension de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8x8) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Composants authentiques : Produits Alliance Memory 100 % authentiques, avec traçabilité complète et engagement tout au long du cycle de vie
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux appareils IoT, aux équipements de réseau, à l'instrumentation médicale et aux systèmes informatiques embarqués nécessitant des solutions de mémoire fiables et à long terme.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en semi-conducteurs ?

Distributeur mondial de confiance de composants semi-conducteurs authentiques, HQICKEY offre un support complet tout au long du cycle de vie, une garantie d'authenticité et une expertise technique pointue. Nous collaborons directement avec les principaux fabricants afin d'assurer l'intégrité de la chaîne d'approvisionnement et la disponibilité à long terme des composants pour vos projets critiques.

Découvrez les produits associés

Découvrez notre vaste collection de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM des plus grands fabricants. Restez informé des dernières tendances, nouveautés et analyses techniques du secteur des semi-conducteurs grâce à notre blog Actualités et Ressources .

Besoin d'aide pour les spécifications ou les commandes en gros ? Notre équipe technique est prête à vous aider à choisir la solution de mémoire idéale pour votre application.