Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6TINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.21 | Dhs. 5.21 |
| 15+ | Dhs. 5.03 | Dhs. 75.45 |
| 25+ | Dhs. 4.92 | Dhs. 123.00 |
| 50+ | Dhs. 4.65 | Dhs. 232.50 |
| 100+ | Dhs. 4.10 | Dhs. 410.00 |
| N+ | Dhs. 0.82 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
AS4C4M16S-6TINTR - Mémoire SDRAM 64 Mbit hautes performances pour applications industrielles
La mémoire DRAM synchrone AS4C4M16S-6TINTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués exigeants, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT. Cette solution mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,4 ns, garantissant une réactivité optimale dans les applications critiques.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un traitement rapide des données
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 4M x 16 offre des options d'intégration flexibles
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation polyvalente
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Boîtier CMS : le boîtier 54-TSOP II permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
Applications idéales :
Cette mémoire SDRAM est conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile fiable et rapide, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et les plateformes de calcul en périphérie de réseau (IoT). Sa large plage de températures de fonctionnement et sa fiabilité éprouvée en font un excellent choix pour les applications critiques où la performance et la longévité sont essentielles.
Spécifications techniques :
Ressources connexes :
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