Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.74 | Dhs. 12.74 |
| 15+ | Dhs. 12.34 | Dhs. 185.10 |
| 25+ | Dhs. 12.07 | Dhs. 301.75 |
| 50+ | Dhs. 11.40 | Dhs. 570.00 |
| 100+ | Dhs. 10.06 | Dhs. 1,006.00 |
| N+ | Dhs. 2.01 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x13) |
| RoHS |
AS4C64M8D1-5BCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
La puce AS4C64M8D1-5BCNTR d'Alliance Memory, Inc. est une solution de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation mémoire de 64 Mbits x 8, ce qui en fait le choix idéal pour les systèmes embarqués exigeants et les applications de contrôle industriel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps de cycle d’écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire fiable : capacité de 512 Mbits avec une organisation de 64 M x 8 optimisée pour les applications d’interface parallèle
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C avec une tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V.
- Conception compacte : le boîtier CMS 60-TFBGA (8x13) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Conformité sectorielle : Conforme à la directive RoHS en matière de responsabilité environnementale et de respect des réglementations.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 700 ps permet une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est spécialement conçu pour les applications à haute fiabilité où la constance des performances est essentielle. Exemples de déploiement :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Calculateurs électroniques automobiles et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
- équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire stables et à long terme
Pourquoi choisir Alliance Memory ?
Alliance Memory, Inc. est spécialisée dans les solutions de mémoire fiables et de haute qualité pour les applications critiques. Ses produits DDR SDRAM font l'objet de tests rigoureux et d'un contrôle qualité strict afin de garantir des performances constantes, même dans les environnements les plus exigeants. Le modèle AS4C64M8D1-5BCNTR témoigne de son engagement à fournir des composants de mémoire répondant aux exigences strictes des marchés de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie.
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