Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.14 | Dhs. 12.14 |
| 15+ | Dhs. 11.75 | Dhs. 176.25 |
| 25+ | Dhs. 11.49 | Dhs. 287.25 |
| 50+ | Dhs. 10.85 | Dhs. 542.50 |
| 100+ | Dhs. 9.58 | Dhs. 958.00 |
| N+ | Dhs. 1.92 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
Présentation du produit
La mémoire AS4C64M8D1-5TCNTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une vitesse exceptionnelles. Cette solution de mémoire volatile offre une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation de 64 Mbits x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications et les applications aérospatiales.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Haute efficacité énergétique : La tension de fonctionnement de 2,3 V à 2,7 V optimise la consommation d'énergie des systèmes embarqués.
- Fiabilité de niveau industriel : Fonctionne de manière fiable dans une plage de températures de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSOP II compact (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures système anciennes et modernes.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR SDRAM est conçue pour les systèmes à haute fiabilité, notamment :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Équipements de télécommunications et de réseau
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Électronique aérospatiale et de défense
- Informatique embarquée et passerelles IoT
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