Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5TINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.30 | Dhs. 10.30 |
| 15+ | Dhs. 9.96 | Dhs. 149.40 |
| 25+ | Dhs. 9.75 | Dhs. 243.75 |
| 50+ | Dhs. 9.21 | Dhs. 460.50 |
| 100+ | Dhs. 8.12 | Dhs. 812.00 |
| N+ | Dhs. 1.62 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR AS4C8M16D1A-5TINTR d'Alliance Memory
Le circuit intégré AS4C8M16D1A-5TINTR d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM DDR haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des performances fiables grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès rapide de 700 ps, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération de données robustes.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 128 Mbit avec une organisation de 8 M x 16
- Technologie DDR SDRAM pour des vitesses de transfert de données améliorées
- Fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
- Temps d'accès ultra-rapide de 700 ps pour une récupération de données fulgurante
- Large plage de tension de fonctionnement : 2,3 V à 2,7 V
- Plage de température étendue : -40 °C à 85 °C (TA)
- Boîtier CMS 66-TSOP II pour une conception de PCB compacte
- Interface mémoire parallèle pour une intégration simple
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
Applications : Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes embarqués à haute fiabilité, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et aux applications aérospatiales où des performances constantes dans des plages de températures extrêmes sont essentielles.
Spécifications techniques :
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