Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6TANTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.24 | Dhs. 108.60 |
| 25+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 177.00 |
| 50+ | Dhs. 6.69 | Dhs. 334.50 |
| 100+ | Dhs. 5.90 | Dhs. 590.00 |
| N+ | Dhs. 1.18 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 2ns |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |
AS4C8M16S-6TANTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
Le circuit intégré AS4C8M16S-6TANTR d'Alliance Memory est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Grâce à son architecture 8M x 16 et sa fréquence d'horloge de 166 MHz, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les applications à forte intensité de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Qualité industrielle robuste : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 105 °C) pour les environnements difficiles
- Architecture mémoire flexible : l'organisation 8M x 16 offre un équilibre optimal pour les applications embarquées.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Conception pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II pour un assemblage automatisé et des agencements de circuits imprimés compacts.
- Disponibilité prolongée : Alliance Memory assure une disponibilité produit étendue pour une continuité de production optimale.
Applications idéales
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, aux systèmes informatiques embarqués, aux équipements de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de réseau où la fiabilité et les performances sont essentielles.
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Spécifications techniques complètes
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