Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6TANTR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 7.49
Prix habituel Dhs. 7.87 Prix promotionnel Dhs. 7.49
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 7.49 Dhs. 7.49
15+ Dhs. 7.24 Dhs. 108.60
25+ Dhs. 7.08 Dhs. 177.00
50+ Dhs. 6.69 Dhs. 334.50
100+ Dhs. 5.90 Dhs. 590.00
N+ Dhs. 1.18 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 2ns
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

AS4C8M16S-6TANTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

Le circuit intégré AS4C8M16S-6TANTR d'Alliance Memory est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Grâce à son architecture 8M x 16 et sa fréquence d'horloge de 166 MHz, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les applications à forte intensité de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Qualité industrielle robuste : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 105 °C) pour les environnements difficiles
  • Architecture mémoire flexible : l'organisation 8M x 16 offre un équilibre optimal pour les applications embarquées.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Conception pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II pour un assemblage automatisé et des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Disponibilité prolongée : Alliance Memory assure une disponibilité produit étendue pour une continuité de production optimale.

Applications idéales

Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, aux systèmes informatiques embarqués, aux équipements de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de réseau où la fiabilité et les performances sont essentielles.

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Alliance Memory et leur traçabilité complète. Chaque unité AS4C8M16S-6TANTR est livrée avec une documentation d'assurance qualité, un support technique dédié et une livraison fiable dans le monde entier. Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration et la planification du cycle de vie de vos produits.

Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions SRAM, Flash et EEPROM pour vos projets embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques. Restez informé des dernières tendances et guides techniques sur notre blog technique .