Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6TINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.24 | Dhs. 108.60 |
| 25+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 177.00 |
| 50+ | Dhs. 6.69 | Dhs. 334.50 |
| 100+ | Dhs. 5.90 | Dhs. 590.00 |
| N+ | Dhs. 1.18 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 2ns |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
AS4C8M16S-6TINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
Le circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) AS4C8M16S-6TINTR d'Alliance Memory, Inc. est un circuit intégré de mémoire de qualité supérieure de 128 Mbits conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques nécessitant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 8 M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur d’interface.
- Plage de fonctionnement étendue : -40 °C à 85 °C (TA), classe de température industrielle pour environnements difficiles
- Boîtier standard : boîtier CMS 54-TSOP II (largeur : 10,16 mm) pour une intégration facile sur circuit imprimé.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, aux plateformes informatiques embarquées, aux équipements de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et à tout système nécessitant des composants de mémoire authentiques et traçables avec des garanties de disponibilité à long terme.
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