Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.05 | Dhs. 11.05 |
| 15+ | Dhs. 10.72 | Dhs. 160.80 |
| 25+ | Dhs. 10.49 | Dhs. 262.25 |
| 50+ | Dhs. 9.90 | Dhs. 495.00 |
| 100+ | Dhs. 8.74 | Dhs. 874.00 |
| N+ | Dhs. 1.75 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
AS4C8M16SA-6TINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 128 Mbit haute fiabilité
La mémoire AS4C8M16SA-6TINTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire SDRAM (mémoire vive dynamique synchrone) haut de gamme de 128 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire haute performance offre une fiabilité exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués exigeants et les applications de contrôle industriel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 3 V à 3,6 V offre une grande flexibilité de conception.
- Organisation de la mémoire optimisée : configuration 8 Mo x 16 avec interface parallèle pour une gestion efficace des données
- Conception pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications exigeant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée, notamment les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes de contrôle aérospatiaux. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste le rendent adapté aux environnements difficiles.
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