Alliance Memory, Inc. AS6C1016-55BINTR

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15+ Dhs. 9.96 Dhs. 149.40
25+ Dhs. 9.75 Dhs. 243.75
50+ Dhs. 9.21 Dhs. 460.50
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AS6C1016-55BINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire AS6C1016-55BINTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 2,7 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
  • Compatibilité étendue avec les tensions d'alimentation : une tension d'alimentation de 2,7 V à 5,5 V prend en charge diverses architectures système.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 48-TFBGA (6x8) minimise l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes de mise en mémoire tampon des données aérospatiales et avioniques
  • Applications des calculateurs et des systèmes ADAS automobiles
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • stockage de données des dispositifs médicaux
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité

Pourquoi choisir Alliance Memory SRAM ?

Alliance Memory est spécialisée dans les solutions semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications critiques. La puce AS6C1016-55BINTR associe une technologie SRAM asynchrone éprouvée à une qualité industrielle, garantissant des performances constantes même dans les environnements les plus exigeants. Conditionnée en bande et bobine, cette puce est optimisée pour l'assemblage automatisé en production de masse.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY