Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.79 | Dhs. 10.79 |
| 15+ | Dhs. 10.44 | Dhs. 156.60 |
| 25+ | Dhs. 10.22 | Dhs. 255.50 |
| 50+ | Dhs. 9.65 | Dhs. 482.50 |
| 100+ | Dhs. 8.51 | Dhs. 851.00 |
| N+ | Dhs. 1.70 | Price Inquiry |
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Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit pour applications critiques
La mémoire AS6C2008-55BINTR d'Alliance Memory offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone de 2 Mbit dispose d'une organisation mémoire de 256 Ko x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 55 ns, garantissant une récupération rapide des données dans les systèmes critiques en termes de temps.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour un traitement en temps réel
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier compact : format 36-TFBGA (6x8) pour montage en surface.
- Interface parallèle : intégration simple avec les architectures système existantes
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Conçue pour les applications nécessitant des alternatives de mémoire non volatile avec une vitesse et une endurance supérieures, l'AS6C2008-55BINTR est le choix idéal pour la mémoire cache, le stockage tampon et l'enregistrement de données dans les systèmes critiques.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 36-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 36-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

AS6C2008-55BINTR.pdf