Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55SINTR

AS6C2008-55SINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La puce AS6C2008-55SINTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques nécessitant un stockage mémoire rapide et volatile. Avec une organisation de 256 Ko x 8 et un temps d'accès de 55 ns, ce circuit intégré mémoire de qualité industrielle offre des performances constantes dans une plage de températures exigeante allant de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un cycle d'accès et d'écriture de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique des systèmes portables et alimentés par batterie.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
• Boîtier CMS : le boîtier SOIC 32 (largeur de 11,30 mm) permet des agencements de circuits imprimés haute densité.
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une tolérance aux températures élevées.

Spécifications techniques

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