Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55TIN

AS6C2008-55TIN - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité

La mémoire SRAM asynchrone AS6C2008-55TIN d'Alliance Memory, Inc. est une solution haut de gamme de 2 Mbits, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile haute performance offre une fiabilité exceptionnelle avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation de la mémoire robuste : la configuration 256K x 8 offre une architecture de stockage de données flexible
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
• Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Conception pour montage en surface : le boîtier TFSOP 32 (largeur de 18,40 mm) permet une intégration efficace sur circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

La mémoire AS6C2008-55TIN est idéale pour les applications exigeantes nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et l'instrumentation aérospatiale. Son architecture asynchrone et son interface parallèle la rendent parfaitement adaptée aux mises à niveau de systèmes existants et aux nouvelles conceptions nécessitant une technologie SRAM éprouvée.

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