Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55SINTR

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15+ Dhs. 11.23 Dhs. 168.45
25+ Dhs. 10.99 Dhs. 274.75
50+ Dhs. 10.38 Dhs. 519.00
100+ Dhs. 9.16 Dhs. 916.00
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AS6C2008A-55SINTR - Solution SRAM asynchrone 2 Mbit haut de gamme

La mémoire AS6C2008A-55SINTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 8 et à son temps d'accès rapide de 55 ns, ce composant offre un stockage de données fiable et rapide pour les systèmes embarqués exigeant des performances déterministes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Large plage de tension : le fonctionnement de 2,7 V à 5,5 V offre une grande flexibilité pour diverses architectures système.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes à microcontrôleurs anciens et modernes
  • Boîtier CMS : boîtier SOIC 32 broches optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Le AS6C2008A-55SINTR est idéal pour :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Calculateurs électroniques automobiles et sous-systèmes critiques pour la sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructures de télécommunications et stations de base
  • Systèmes embarqués nécessitant un accès mémoire rapide et déterministe

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY