Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55STINTR

AS6C2008A-55STINTR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS6C2008A-55STINTR d'Alliance Memory est une solution haut de gamme de 2 Mbits, conçue pour les applications à haute fiabilité dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages :

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,7 V à 5,5 V) permet de répondre à diverses exigences système.
• Organisation optimale : l'architecture mémoire 256K x 8 assure une gestion efficace des données
• Fiabilité de niveau industriel : Fonctionnement à température étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements exigeants
• Conception compacte : le boîtier CMS 32-sTSOP compact permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : Intégration simple aux architectures système existantes

Spécifications techniques :

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

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