Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55BINTR

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La mémoire AS6C2016-55BINTR d'Alliance Memory est une solution haut de gamme pour les applications critiques exigeant une mémoire SRAM haute fiabilité. Cette SRAM asynchrone de 2 Mbit offre des performances exceptionnelles grâce à son organisation mémoire 128K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 55 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriel, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications.

Conçue pour les environnements exigeants, cette mémoire SRAM à montage en surface fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures industrielles, de -40 °C à 85 °C, avec une plage d'alimentation flexible de 2,7 V à 5,5 V. Son boîtier compact 48-TFBGA (6 x 8) optimise l'espace sur la carte tout en assurant une connectivité d'interface parallèle robuste pour une intégration aisée dans vos conceptions.

Ses principaux atouts comprennent une architecture de mémoire volatile pour un accès rapide aux données, la conformité à la norme RoHS pour une responsabilité environnementale et l'expérience éprouvée d'Alliance Memory dans la fourniture de solutions semi-conductrices répondant aux exigences strictes des secteurs à haute fiabilité.

Spécifications du produit

Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY