Alliance Memory, Inc. AS6C4016A-55ZINTR

AS6C4016A-55ZINTR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré AS6C4016A-55ZINTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 4 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette SRAM parallèle haute vitesse dispose d'une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 55 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques.
• Plage de fonctionnement robuste : tolérance aux températures industrielles de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
• Alimentation flexible : sa large plage de tension de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
• Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée pour :

• Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
• Unités de commande moteur (ECU) et systèmes ADAS automobiles
• PLC industriels et contrôleurs d'automatisation
• Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
• Stations de base de télécommunications et infrastructure de réseau
• Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité

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