Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SCNTR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 256 Kbits | Alliance Memory

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AS6C62256-55SCNTR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La puce AS6C62256-55SCNTR d'Alliance Memory est une mémoire SRAM asynchrone 256 kbits haut de gamme, conçue pour les systèmes embarqués critiques, l'automatisation industrielle, les télécommunications et les applications aérospatiales. Ce composant de mémoire volatile haute fiabilité offre un temps d'accès rapide de 55 ns et fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,7 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les systèmes anciens et modernes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour le traitement orienté octet
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 5,5 V prend en charge diverses exigences système.
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration transparente
  • Boîtier CMS : 28-SOIC (0,330 pouce, largeur 8,38 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA) pour une performance fiable dans des environnements exigeants.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Spécifications techniques

Applications

Le AS6C62256-55SCNTR est parfaitement adapté pour :

  • Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Équipement de télécommunications
  • Instrumentation médicale
  • électronique automobile
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Systèmes d'acquisition de données

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-SOIC (0,330", largeur 8,38 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY