Alliance Memory, Inc. AS7C1024D-12TJINTR

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15+ Dhs. 14.20 Dhs. 213.00
25+ Dhs. 13.90 Dhs. 347.50
50+ Dhs. 13.12 Dhs. 656.00
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AS7C1024D-12TJINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Alliance Memory AS7C1024D-12TJINTR est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit, haute vitesse et basse consommation, organisée en 128 000 mots de 8 bits. Elle est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant un accès mémoire fiable et rapide, ainsi qu'une durée de vie prolongée.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Large plage de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, température de fonctionnement industrielle pour environnements difficiles.
  • Fonctionnement standard 5 V : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour la compatibilité avec les systèmes existants
  • Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d’horloge
  • Boîtier CMS : boîtier 32-SOJ optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications typiques

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Instrumentation médicale
  • Mises à niveau des systèmes existants et assistance à long terme

Pourquoi choisir notre AS7C1024D-12TJINTR ?

Nous fournissons des mémoires Alliance Memory agréées, avec traçabilité complète du fabricant, documentation technique exhaustive et garantie de longue durée. Chaque unité est livrée avec un certificat d'authenticité et bénéficie de notre garantie qualité.

Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Port unique, asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY