Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-20TINTR

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AS7C1026B-20TINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire AS7C1026B-20TINTR d'Alliance Memory, Inc. est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire volatile à port unique offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en temps réel.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C
  • Fiabilité de niveau industriel : Boîtier TSOP 44 à montage en surface conçu pour les environnements difficiles
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes à microcontrôleurs, les FPGA, les contrôleurs embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et l'automatisation industrielle critique où un stockage de données rapide et fiable est essentiel.

Pourquoi choisir AS7C1026B-20TINTR ?

Ce composant SRAM allie fiabilité éprouvée et performances à haute vitesse, ce qui en fait le choix idéal pour les ingénieurs développant des systèmes embarqués de nouvelle génération. Son architecture asynchrone simplifie l'intégration tandis que sa plage de températures étendue garantit un fonctionnement stable même dans des environnements exigeants.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Port unique, asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY