Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10JIN

AS7C256A-10JIN - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

La mémoire AS7C256A-10JIN d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture ultrarapides de 10 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications temps réel dans les secteurs de l'industrie, de l'automobile, des télécommunications et de l'aérospatiale.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 32 Ko x 8 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Fonctionnement standard 5 V : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les systèmes anciens et modernes.
• Boîtier CMS : boîtier 28-BSOJ (28-SOJ) optimisé pour l’assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Idéal pour les contrôleurs embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et toute application nécessitant une mémoire volatile haute vitesse et à faible latence avec une fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM pour systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour accéder au catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité, ou visitez notre blog technique pour des notes d'application, des guides de conception et des analyses du secteur.