Alliance Memory, Inc. AS7C31025B-10JCNTR

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15+ Dhs. 12.24 Dhs. 183.60
25+ Dhs. 11.97 Dhs. 299.25
50+ Dhs. 11.31 Dhs. 565.50
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AS7C31025B-10JCNTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS7C31025B-10JCNTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire haut de gamme de 1 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès ultrarapides et une fiabilité exceptionnelle. Avec un temps d'accès fulgurant de 10 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, ce composant offre les performances et la fiabilité requises par les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour le traitement des données à l’échelle de l’octet
  • Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier CMS : 32-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour les circuits imprimés compacts
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les environnements exigeants où l'intégrité des données et la vitesse sont primordiales :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Calculateurs électroniques automobiles et sous-systèmes critiques pour la sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • équipement de diagnostic médical
  • Stations de base et routeurs de télécommunications
  • Informatique embarquée haute performance

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY