Alliance Memory, Inc. AS7C31025C-12TJINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.98 | Dhs. 7.98 |
| 15+ | Dhs. 7.72 | Dhs. 115.80 |
| 25+ | Dhs. 7.55 | Dhs. 188.75 |
| 50+ | Dhs. 7.13 | Dhs. 356.50 |
| 100+ | Dhs. 6.29 | Dhs. 629.00 |
| N+ | Dhs. 1.26 | Price Inquiry |
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AS7C31025C-12TJINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit
La puce AS7C31025C-12TJINTR d'Alliance Memory, Inc. est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Offrant un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une architecture de 128 Ko x 8, ce circuit intégré de mémoire assure un stockage de données fiable et rapide pour les microcontrôleurs, les FPGA et les systèmes de contrôle industriels.
Conçue pour résister aux environnements les plus extrêmes, cette mémoire SRAM fonctionne dans une large plage de températures industrielles, de -40 °C à 85 °C , ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'automobile, de l'aérospatiale, des dispositifs médicaux et de l'automatisation industrielle. Sa tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V garantit la compatibilité avec les conceptions modernes basse consommation tout en conservant des performances exceptionnelles.
Spécifications techniques complètes
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation optimale : la configuration 128 Ko x 8 offre une architecture mémoire flexible pour diverses conceptions de systèmes.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de température étendue de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement stable dans des conditions extrêmes.
- Conception basse consommation : une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d'énergie tout en maintenant des performances élevées.
- Boîtier CMS : le boîtier 32-BSOJ (largeur de 7,62 mm) facilite l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Interface parallèle : intégration simple et directe avec les microprocesseurs et les contrôleurs
- Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production en grande série
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée pour :
- Systèmes embarqués et mémoire cache de microcontrôleur
- Mise en mémoire tampon des données FPGA et ASIC
- Systèmes de contrôle et d'automatisation industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications
- applications aérospatiales et de défense
Authenticité garantie
Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Alliance Memory, avec une traçabilité complète et un support technique à long terme. Chaque puce AS7C31025C-12TJINTR provient directement de distributeurs agréés et fait l'objet de contrôles qualité rigoureux afin de garantir sa fiabilité pour vos besoins de production.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
AS7C31025C-12TJINTR.pdf