Alliance Memory, Inc. AS7C31026C-10BINTR

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AS7C31026C-10BINTR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS7C31026C-10BINTR d'Alliance Memory est une mémoire de 1 Mbit à haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et organisée en 64 Ko x 16, cette mémoire volatile offre des performances fiables sur une large plage de températures (-40 °C à 85 °C). Son boîtier compact 48 BGA (7 x 7 mm) pour montage en surface garantit une intégration optimale sur circuit imprimé, tandis que sa plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V assure une excellente compatibilité avec les systèmes numériques modernes. Conforme à la directive RoHS et disponible en conditionnement sur bande et bobine, cette SRAM est idéale pour les applications à haute fiabilité telles que les contrôleurs industriels, les équipements réseau, les systèmes automobiles et les infrastructures de télécommunications, où un accès mémoire parallèle rapide est essentiel.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-LFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-BGA (7x7)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY