Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-12TINTR

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15+ Dhs. 16.06 Dhs. 240.90
25+ Dhs. 15.71 Dhs. 392.75
50+ Dhs. 14.84 Dhs. 742.00
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AS7C32098A-12TINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La mémoire Alliance AS7C32098A-12TINTR est une SRAM asynchrone haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et aérospatial. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette SRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles dans un boîtier TSOP 44 broches compact.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 12 ns pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation de la mémoire flexible : interface parallèle 128 Ko x 16 pour une gestion efficace des données
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
  • Fiabilité de qualité industrielle : conforme à la directive RoHS, adapté aux environnements difficiles
  • Conception compacte : boîtier de montage en surface 44-TSOP2 (largeur de 10,16 mm)
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’Alliance Memory en matière de disponibilité des produits

Applications

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les systèmes automobiles, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une disponibilité à long terme.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir Alliance Memory ? Alliance Memory est spécialisée dans les composants semi-conducteurs haute fiabilité avec un support étendu du cycle de vie, une traçabilité complète et des ressources d'intégration pour garantir le succès à long terme de votre projet.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY