Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12TINTR

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AS7C4096A-12TINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire AS7C4096A-12TINTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 8, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et aérospatiaux.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Tension standard : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration facile.
  • Conception à montage en surface : boîtier TSOP 44 broches pour un assemblage automatisé et une optimisation de l’espace.
  • Interface parallèle : une interface simple et éprouvée pour une intégration système aisée.
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les systèmes automobiles, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un fonctionnement à température étendue.

Spécifications techniques complètes

Les spécifications peuvent être modifiées. Veuillez consulter la fiche technique du fabricant pour obtenir tous les détails et les dernières mises à jour.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY