Microchip Technology AT24C1024W-10SI-2.7-T

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AT24C1024W-10SI-2.7-T - Circuit intégré de mémoire EEPROM I2C 1 Mbit haute fiabilité

L' AT24C1024W-10SI-2.7-T de Microchip Technology est une EEPROM série haute performance de 1 mégabit (128 Ko x 8) optimisée pour les applications industrielles et embarquées nécessitant un stockage de données non volatiles fiable. Compatible I2C, cette mémoire fonctionne sur une large plage de tensions, de 2,7 V à 5,5 V, ce qui la rend idéale pour les systèmes alimentés par batterie et les systèmes à tensions mixtes.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Grande capacité de stockage : l’organisation de 1 Mbit (128 Ko x 8) offre un espace suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les journaux système.
  • Interface I2C standard : la fréquence d'horloge de 1 MHz assure un transfert de données rapide et une intégration facile avec les microcontrôleurs.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : la plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 5,5 V favorise les conceptions écoénergétiques.
  • Cycles d'écriture rapides : temps d'écriture de page de 10 ms et temps d'accès de 550 ns pour des performances réactives.
  • Boîtier CMS : Boîtier SOIC 8 broches compact (largeur de 5,30 mm) permettant un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications typiques :

Cette mémoire EEPROM est parfaitement adaptée aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications, à l'électronique grand public et aux dispositifs IoT périphériques où une mémoire non volatile fiable est essentielle.

Spécifications techniques :

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 1 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ms
Temps d'accès 550 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC