Renesas Electronics Corporation AT25DF011-MAHN-Y
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.48 | Dhs. 3.48 |
| 15+ | Dhs. 3.38 | Dhs. 50.70 |
| 25+ | Dhs. 3.30 | Dhs. 82.50 |
| 50+ | Dhs. 3.12 | Dhs. 156.00 |
| 100+ | Dhs. 2.75 | Dhs. 275.00 |
| N+ | Dhs. 0.55 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire flash SPI 1 Mbit AT25DF011-MAHN-Y
L'AT25DF011-MAHN-Y est une mémoire flash série haute performance de 1 Mbit fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données non volatiles fiable, cette mémoire flash compacte à montage en surface (8 UDFN) fonctionne à des vitesses allant jusqu'à 104 MHz avec une interface SPI, ce qui la rend idéale pour les applications électroniques industrielles et grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 104 MHz garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Alimentation flexible : large plage de tension (1,65 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
- Encombrement réduit : Boîtier 8-UDFN (2 x 3 mm) peu encombrant pour les circuits imprimés à haute densité.
- Interface SPI standard : intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Mémoire organisée : architecture 128K x 8 pour une gestion efficace des données
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire flash est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique grand public, au stockage de firmware, aux applications d'enregistrement de données et à la mémoire de configuration dans les systèmes FPGA/CPLD.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | ÉCLAIR |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8 µs, 3,5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-UFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-UDFN (2x3) |
| RoHS |

AT25DF011-MAHN-Y.pdf