Renesas Electronics Corporation AT25DF021A-UUNHR-T
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.26 | Dhs. 3.26 |
| 15+ | Dhs. 3.17 | Dhs. 47.55 |
| 25+ | Dhs. 3.11 | Dhs. 77.75 |
| 50+ | Dhs. 2.93 | Dhs. 146.50 |
| 100+ | Dhs. 2.59 | Dhs. 259.00 |
| N+ | Dhs. 0.52 | Price Inquiry |
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Renesas AT25DF021A-UUNHR-T - Circuit intégré de mémoire flash SPI 2 Mbit
L'AT25DF021A-UUNHR-T de Renesas Electronics Corporation est une mémoire Flash NOR 2 Mbit hautes performances dotée d'une interface SPI double E/S. Conçue pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales, cette puce mémoire compacte en boîtier 8-WLCSP offre un stockage non volatil fiable, une endurance exceptionnelle et une excellente rétention des données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 104 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (1,65 V - 3,6 V) prend en charge diverses exigences système
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Encombrement réduit : Boîtier ultra-compact 8-WLCSP (1,9 x 1,4 mm) idéal pour les conceptions à espace restreint
- Interface efficace : l’interface SPI double E/S permet un transfert de données plus rapide avec un nombre minimal de broches.
- Organisation de la mémoire : architecture 256 Ko x 8 avec un temps de cycle d’écriture de page de 2,5 ms
Applications cibles
- Systèmes embarqués et stockage de code de microcontrôleur
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Équipements aérospatiaux et de défense
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Données de configuration et stockage du micrologiciel
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire à semi-conducteurs, incluant des dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité de 64 octets à 6 To. Consultez notre page d'accueil pour découvrir l'ensemble de nos composants semi-conducteurs haut de gamme, ou visitez notre blog technique pour accéder aux dernières analyses du secteur, aux notes d'application et aux mises à jour produits.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Double E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8 µs, 2,5 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-UFBGA, WLCSP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WLCSP (1,9x1,4) |
| RoHS |
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