Renesas Electronics Corporation AT25DN011-MAHF-Y
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.91 | Dhs. 1.91 |
| 15+ | Dhs. 1.86 | Dhs. 27.90 |
| 25+ | Dhs. 1.82 | Dhs. 45.50 |
| 50+ | Dhs. 1.72 | Dhs. 86.00 |
| 100+ | Dhs. 1.52 | Dhs. 152.00 |
| N+ | Dhs. 0.30 | Price Inquiry |
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AT25DN011-MAHF-Y - Mémoire Flash SPI haute performance de 1 Mbit
La mémoire Flash série AT25DN011-MAHF-Y de Renesas Electronics Corporation est un dispositif haute performance de 1 Mbit doté d'une interface SPI rapide à 104 MHz. Conçue pour une fiabilité et une efficacité optimales, cette mémoire Flash non volatile fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,3 V à 3,6 V) et est adaptée aux environnements industriels (de -40 °C à 85 °C). Grâce à son boîtier CMS compact 8-UDFN (2 x 3 mm), l'AT25DN011-MAHF-Y est la solution idéale pour les systèmes embarqués à espace restreint, les objets connectés (IoT), les applications d'acquisition de données et les systèmes de contrôle industriels nécessitant un stockage fiable du code et la conservation des données de configuration.
Spécifications techniques complètes
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : l’interface SPI 104 MHz permet des vitesses d’accès et de transfert de données rapides.
- Format compact : le boîtier ultra-compact 8-UDFN (2 x 3 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,3 V à 3,6 V compatible avec diverses conceptions d’alimentation.
- Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C, assurant un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.
- Stockage non volatil : la technologie Flash conserve les données sans alimentation, idéale pour le stockage de la configuration et du firmware.
- Organisation efficace de la mémoire : architecture 128 Ko x 8 avec cycles d’écriture rapides (mot de 8 µs, page de 1,75 ms)
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
- Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
- Dispositifs IoT (Internet des objets) et capteurs intelligents
- Systèmes de contrôle et d'automatisation industriels
- Systèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
- Stockage du firmware et du code de démarrage
- Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile
Pourquoi choisir l'AT25DN011-MAHF-Y ?
Bénéficiant de la réputation de qualité et de fiabilité de Renesas Electronics, la mémoire AT25DN011-MAHF-Y offre des performances constantes même dans les applications les plus exigeantes. Son interface SPI haute vitesse, sa large plage de tension de fonctionnement et sa résistance aux températures industrielles en font un excellent choix pour les ingénieurs à la recherche d'une solution de mémoire Flash fiable. Que vous conceviez des objets connectés de nouvelle génération ou modernisiez des systèmes industriels existants, cette mémoire Flash de 1 Mbit offre un équilibre parfait entre performances, taille et fiabilité.
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | ÉCLAIR |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8 µs, 1,75 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-UFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-UDFN (2x3) |
| RoHS |  |
AT25DN011-MAHF-Y.pdf