Microchip Technology AT27BV512-70RC

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15+ Dhs. 10.30 Dhs. 154.50
25+ Dhs. 10.08 Dhs. 252.00
50+ Dhs. 9.52 Dhs. 476.00
100+ Dhs. 8.40 Dhs. 840.00
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AT27BV512-70RC - Circuit intégré de mémoire EPROM 512 kbits haute fiabilité

La mémoire EPROM parallèle AT27BV512-70RC de Microchip Technology est une solution haut de gamme de 512 kbits (64 Ko x 8) conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette mémoire EPROM non volatile, programmable une seule fois (OTP), offre une fiabilité et une rétention des données exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage permanent du code.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Fonctionnement flexible en tension : la prise en charge de deux tensions (2,7 V-3,6 V et 4,5 V-5,5 V) offre une grande flexibilité de conception et une efficacité énergétique optimale.
  • Organisation mémoire robuste : architecture 64 Ko x 8 optimisée pour l’interface microcontrôleur et processeur
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TC) pour les environnements exigeants
  • Conception compacte : le boîtier CMS 28 broches SOIC (largeur de 8,69 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration aux systèmes existants.

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire EPROM est parfaitement adapté au stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration, de tables de consultation et à la programmation de systèmes embarqués dans les secteurs où l'intégrité des données et leur conservation à long terme sont primordiales.

Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits AT27BV512
Conditionnement Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EPROM
Technologie EPROM - OTP
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TC)
Grade Commercial
Qualification Standard
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-SOIC (0,342", largeur 8,69 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOIC