Renesas Electronics Corporation AT45DB081E-UUN2B-T

L' AT45DB081E-UUN2B-T est un circuit intégré de mémoire flash série 8 Mbit haute performance de Renesas Electronics Corporation, conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant un stockage de données non volatiles fiable.

Ce dispositif de mémoire flash avancé est doté d'une interface SPI fonctionnant jusqu'à 85 MHz, offrant un accès rapide aux données et une communication efficace avec les microcontrôleurs et les processeurs. Grâce à sa large plage de tension de fonctionnement (1,7 V à 3,6 V) et à sa plage de températures de fonctionnement industrielle (-40 °C à 85 °C), l'AT45DB081E garantit des performances robustes même dans les environnements les plus exigeants.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire flash de 8 Mbit (1 Mo) organisée en 256 octets × 4096 pages
• Interface série SPI haute vitesse avec une fréquence d'horloge de 85 MHz
• Faible consommation d'énergie, idéale pour les applications alimentées par batterie
• Plage de tension d'alimentation étendue : 1,7 V à 3,6 V
• Plage de températures industrielles étendue : -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact à montage en surface 8-WLCSP (2,32 × 1,61 mm)
• Temps de cycle d'écriture rapides : 8 µs par mot, 4 ms par page
• Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale

Applications : Stockage de micrologiciels embarqués, enregistrement de données, mémoire de configuration, copie de code, systèmes de contrôle industriels, électronique automobile, dispositifs médicaux et informatique de périphérie IoT.

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• AT45DB081E-UUN2B-T.pdf