Rohm Semiconductor BR25080N-10SU-1.8

BR25080N-10SU-1.8 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 8 Kbits haute fiabilité

Le BR25080N-10SU-1.8 est un circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 8 Kbits haute fiabilité, fabriqué par Rohm Semiconductor et conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données non volatiles. Ce composant semi-conducteur authentique dispose d'une organisation mémoire de 1 Ko x 8 avec interface SPI, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles où la fiabilité de la conservation des données est essentielle.

Avec une large plage de tension de fonctionnement de 1,8 V à 5,5 V et une tolérance aux températures étendue de -40 °C à 85 °C, cette EEPROM offre des performances constantes même dans des environnements exigeants. Sa fréquence d'horloge de 3 MHz et son temps de cycle d'écriture de 5 ms garantissent des opérations de données efficaces, tandis que son boîtier compact SOIC 8 broches permet une conception de circuits imprimés optimisée.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire EEPROM non volatile de 8 Kbits (1 K x 8)
• Interface série SPI pour une intégration simplifiée
• Alimentation à large plage de tension : de 1,8 V à 5,5 V pour une conception d’alimentation flexible
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA)
• Fréquence d'horloge rapide de 3 MHz pour un transfert de données efficace
• Cycle d'écriture de 5 ms pour un stockage de données fiable
• Boîtier compact 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) pour montage en surface
• Conforme à la directive RoHS en matière de normes environnementales
• Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications

Idéal pour les projets de matériel embarqué, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable avec communication SPI.

Spécifications techniques détaillées

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