Rohm Semiconductor BR25L010FVJ-WE2

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BR25L010FVJ-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 1 Kbit

La BR25L010FVJ-WE2 de Rohm Semiconductor est une EEPROM série 1 Kbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données non volatiles. Ce circuit intégré de mémoire à interface SPI dispose d'une organisation de 128 x 8 bits et fonctionne sur une large plage de tensions de 1,8 V à 5,5 V, ce qui le rend idéal pour les applications industrielles et alimentées par batterie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Mémoire non volatile de 1 Kbit : la technologie EEPROM fiable assure la conservation des données même sans alimentation.
  • Interface SPI : interface périphérique série standard pour une intégration facile
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 1,8 V à 5,5 V prend en charge diverses exigences système.
  • Fréquence d'horloge élevée : un fonctionnement à 5 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 8 TSSOP/8 MSOP permet de gagner de la place sur la carte.
  • Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions portables et économes en énergie

Spécifications techniques

Applications

Le BR25L010FVJ-WE2 est idéal pour stocker des données d'étalonnage, des paramètres de configuration, des préférences utilisateur et de petits ensembles de données :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • appareils électroniques grand public et domotiques
  • Instruments médicaux et équipements de diagnostic
  • modules électroniques et de capteurs automobiles
  • Dispositifs IoT et systèmes de communication sans fil
  • Instruments de mesure portables

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 1 Kbit
Organisation de la mémoire 128 x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 5 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", largeur 3,00 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-BJ
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