Rohm Semiconductor BR25L020FVT-WE2

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25+ Dhs. 2.46 Dhs. 61.50
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BR25L020FVT-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 2 Kbits haute fiabilité

La BR25L020FVT-WE2 de Rohm Semiconductor est une mémoire EEPROM série 2 Kbits haut de gamme, conçue pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire non volatile offre une interface SPI robuste, une large plage de tension de fonctionnement (1,8 V à 5,5 V) et une stabilité thermique exceptionnelle de -40 °C à 85 °C, ce qui en fait le choix idéal pour le stockage de données critiques dans des environnements difficiles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 2 Kbits : l’organisation 256 x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les paramètres système.
  • Interface SPI haute vitesse : la fréquence d’horloge de 5 MHz permet des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications sensibles au temps.
  • Large plage de tension : le fonctionnement de 1,8 V à 5,5 V assure la compatibilité avec diverses architectures système et alimentations.
  • Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables dans des conditions extrêmes.
  • Boîtier TSSOP 8 broches compact : sa conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm) optimise l’espace disponible sur le circuit imprimé.
  • Faible consommation d'énergie : sa conception écoénergétique prolonge l'autonomie de la batterie des appareils portables et IoT.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Ce circuit intégré de mémoire EEPROM polyvalent est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes électroniques automobiles et calculateurs de gestion moteur (ECU)
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Électronique grand public et appareils intelligents
  • capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie
  • Mises à jour du stockage de la configuration et du micrologiciel

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Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 2Kbit
Organisation de la mémoire 256 x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 5 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-B
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY