Rohm Semiconductor BR25L040FVM-WTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.95 | Dhs. 1.95 |
| 15+ | Dhs. 1.90 | Dhs. 28.50 |
| 25+ | Dhs. 1.85 | Dhs. 46.25 |
| 50+ | Dhs. 1.75 | Dhs. 87.50 |
| 100+ | Dhs. 1.55 | Dhs. 155.00 |
| N+ | Dhs. 0.31 | Price Inquiry |
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BR25L040FVM-WTR - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 4 Kbits hautes performances
La mémoire EEPROM non volatile BR25L040FVM-WTR de Rohm Semiconductor est une solution fiable de 4 Kbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données persistant. Ce circuit intégré de mémoire à interface SPI offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 5 MHz et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 1,8 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les applications industrielles et alimentées par batterie.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 4 Kbits : l’organisation 512 x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les paramètres système.
- Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 5 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
- Large plage de tension de fonctionnement : de 1,8 V à 5,5 V, elle prend en charge diverses configurations d’alimentation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : le format 8-MSOP (largeur de 2,80 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions embarquées à faible consommation d'énergie
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public, les objets connectés, les équipements médicaux et toute application nécessitant un stockage non volatil des paramètres.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 512 x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 5 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-VSSOP, 8-MSOP (0,110", largeur 2,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-MSOP |
| RoHS |  |
BR25L040FVM-WTR.pdf