Rohm Semiconductor BR25L040FVT-WE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.51 | Dhs. 2.51 |
| 15+ | Dhs. 2.45 | Dhs. 36.75 |
| 25+ | Dhs. 2.39 | Dhs. 59.75 |
| 50+ | Dhs. 2.26 | Dhs. 113.00 |
| 100+ | Dhs. 2.00 | Dhs. 200.00 |
| N+ | Dhs. 0.40 | Price Inquiry |
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BR25L040FVT-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 4 Kbits haute fiabilité
La BR25L040FVT-WE2 de Rohm Semiconductor est une mémoire EEPROM non volatile haute performance de 4 kbits (512 x 8) conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable. Cette EEPROM à interface SPI fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 5 MHz et offre une plage de tension d'alimentation ultra-large de 1,8 V à 5,5 V, ce qui la rend idéale pour les applications alimentées par batterie et basse consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 4 Kbits : l’organisation 512 x 8 offre un stockage flexible des données pour les paramètres de configuration, les données d’étalonnage et les paramètres utilisateur.
- Interface série SPI : Le protocole SPI à 4 fils, standard de l’industrie, permet une intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Large plage de tension de fonctionnement : de 1,8 V à 5,5 V, elle prend en charge diverses architectures système et exigences en matière d’alimentation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Performances d'écriture rapides : un cycle d'écriture de 5 ms permet des mises à jour de données efficaces.
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-TSSOP (largeur de 4,40 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public, les objets connectés, les équipements médicaux et toute application nécessitant un stockage non volatil des paramètres avec communication SPI.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 512 x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 5 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-TSSOP-B |
| RoHS |  |
BR25L040FVT-WE2.pdf