Rohm Semiconductor BR25L080FJ-WE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.96 | Dhs. 2.96 |
| 15+ | Dhs. 2.86 | Dhs. 42.90 |
| 25+ | Dhs. 2.80 | Dhs. 70.00 |
| 50+ | Dhs. 2.64 | Dhs. 132.00 |
| 100+ | Dhs. 2.33 | Dhs. 233.00 |
| N+ | Dhs. 0.47 | Price Inquiry |
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BR25L080FJ-WE2 - EEPROM SPI 8 Kbits haute fiabilité
La BR25L080FJ-WE2 de Rohm Semiconductor est une EEPROM SPI 8 kbits (1K x 8) haut de gamme, conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeant un stockage de mémoire non volatile fiable. Cette EEPROM à montage en surface fonctionne sur une large plage de tensions, de 1,8 V à 5,5 V, ce qui la rend idéale pour les appareils alimentés par batterie, les capteurs IoT, l'électronique automobile et les systèmes de contrôle industriels.
Principales caractéristiques et avantages
- Large plage de tension de fonctionnement : 1,8 V à 5,5 V pour une compatibilité avec différentes alimentations.
- Interface SPI rapide : la fréquence d'horloge de 5 MHz garantit un accès rapide aux données
- Plage de températures industrielles : de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité en environnement difficile
- Boîtier SOIC 8 broches compact : conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm)
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications fonctionnant sur batterie et économes en énergie
- Temps de cycle d'écriture de 5 ms : programmation rapide des données pour un fonctionnement efficace du système
Applications
Idéal pour le stockage des données de configuration, des paramètres d'étalonnage, des paramètres utilisateur, des numéros de série et l'enregistrement des données dans les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique grand public, les dispositifs médicaux et les systèmes automobiles.
Spécifications techniques
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Ressources connexes
Explorez notre blog technique pour accéder à des notes d'application, des guides de conception et des analyses sectorielles qui vous aideront à optimiser les performances de vos systèmes embarqués.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 8 kbits |
| Organisation de la mémoire | 1K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 5 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP-J |
| RoHS |  |
BR25L080FJ-WE2.pdf