Rohm Semiconductor BR25L080FVT-WE2

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25+ Dhs. 2.93 Dhs. 73.25
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BR25L080FVT-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 8 Kbits haute fiabilité

La mémoire EEPROM BR25L080FVT-WE2 de Rohm Semiconductor est un dispositif de mémoire haute performance de 8 kbits (1K x 8) doté d'une interface série SPI pour un stockage de données efficace dans les applications industrielles, automobiles et électroniques grand public. Grâce à sa large plage de tension d'alimentation (1,8 V à 5,5 V) et à sa plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C), ce circuit intégré de mémoire non volatile offre une fiabilité exceptionnelle pour les systèmes embarqués critiques.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité mémoire de 8 Kbits : l’organisation 1K x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les paramètres système.
  • Interface série SPI : La fréquence d'horloge standard de 5 MHz permet un accès rapide aux données avec un nombre minimal de broches.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 1,8 V à 5,5 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier TSSOP 8 broches compact : conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm) idéale pour les circuits imprimés haute densité.
  • Conforme à la directive RoHS : construction écologique sans plomb répondant aux normes réglementaires internationales
  • Temps de cycle d'écriture de 5 ms : programmation rapide pour une initialisation système et des mises à jour de données efficaces

Applications :

Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les compteurs intelligents, les équipements médicaux, l'électronique grand public et toute application nécessitant un stockage fiable et non volatil des paramètres.

Spécifications techniques :

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Produits et ressources associés :

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 8 kbits
Organisation de la mémoire 1K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 5 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-B
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY