Rohm Semiconductor BR25L160FJ-WE2

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BR25L160FJ-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 16 kbits haute fiabilité

La mémoire EEPROM non volatile BR25L160FJ-WE2 de Rohm Semiconductor est un dispositif haute performance de 16 kbits (2K x 8) conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage de données fiable. Cette EEPROM à interface SPI fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 5 MHz et présente une large plage d'alimentation de 1,8 V à 5,5 V, ce qui la rend idéale pour les applications alimentées par batterie et basse consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 16 Kbits : l’organisation 2K x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les paramètres système.
  • Interface série SPI : L’interface SPI à 4 fils, standard dans l’industrie, permet une intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 1,8 V à 5,5 V prend en charge diverses architectures système.
  • Fréquence d'horloge élevée : une fréquence d'horloge maximale de 5 MHz garantit un accès et un transfert de données rapides.
  • Plage de températures industrielles : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les applications en environnements difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Temps de cycle d'écriture faible : temps d'écriture de page de 5 ms pour une programmation de données efficace
  • Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Applications

Ce circuit intégré de mémoire EEPROM est parfaitement adapté pour :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • étalonnage des composants électroniques et des capteurs automobiles
  • stockage de configuration des appareils électroniques grand public
  • rétention des paramètres des dispositifs médicaux
  • Applications IoT et capteurs intelligents
  • systèmes de gestion de l'énergie et de surveillance des batteries

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 16 kbits
Organisation de la mémoire 2K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 5 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP-J
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY